Micron работает над вторым поколением 3D XPoint

Новости сегодня - Micron работает над вторым поколением 3D XPoint

Первые коммерческие твердотельные накопители, основанные на недавно анонсированной энергонезависимой памяти 3D XPoint, ещё не появилась на рынке, но компании Intel и Micron Technology уже работают над вторым поколением памяти данного типа. Кроме того, Micron разрабатывает полностью новую технологию, которая обещает сократить разницу в производительности между динамической памятью с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и энергонезависимой памятью.

Корпорация Micron Technology рассказала на Intel Developer Forum ранее в этом месяце, что ведёт разработку второго поколения 3D XPoint, второго поколения многослойной трёхмерной NAND флеш-памяти (3D NAND), а также некоего принципиально нового типа памяти, подробности о котором не раскрываются. Micron сотрудничает с Intel в создании 3D XPoint и 3D NAND, но не ясно, работают ли компании вместе и над новой технологией, известной как New Memory B Gen 1 (новая память «Б» первого поколения).

Перспективный план Micron в области разработки новых технологий компьютерной памяти

Второе поколение памяти 3D XPoint будет представлено в 2016 году, как и второе поколение 3D NAND. Ожидается, что новый тип памяти «Б» будет анонсирован в 2017 году.

Различия между первым и вторым поколениями 3D XPoint неизвестны. Первая реализация 3D XPoint обещает быть в десятки или сотни раз быстрее обычной NAND флеш-памяти с точки зрения скорости доступа к данным (латентности) и скоростей записи и чтения. Кроме того, 3D XPoint обладает более длительным сроком службы по сравнению с NAND благодаря большей износоустойчивости её ячеек памяти. Тем не менее, одна из вещей, где NAND превосходит новый тип памяти — это ёмкость. Современное NAND-устройство может хранить 256 Гбит данных, тогда как первые микросхемы 3D XPoint будут иметь ёмкость в 128 Гбит. Вполне возможно, что в случае со вторым поколением разработчики сосредоточатся на увеличении плотности записи, а не на существенном увеличении производительности (впрочем, при увеличении плотности вырастет и производительность). Более высокие ёмкости чипов 3D XPoint помогут сделать накопители на их базе дешевле в пересчёте на гигабайт данных, что расширит их возможности на рынке.

3D XPoint: Между DRAM и NAND

Хотя 3D XPoint быстрее, чем NAND, DRAM на порядок превосходит новый тип памяти по части скорости доступа и существенно опережает по части пропускной способности. В Micron считают, что латентность энергонезависимой памяти — серьёзный вызов для всех типов новых технологий памяти.

Скотт Грэм (Scott Graham), генеральный менеджер подразделения Micron, занимающегося разработкой гибридных типов памяти, рассказал на IDF, что главной отличительной особенностью New Memory B gen 1 станет увеличенная производительность по сравнению с 3D XPoint. Новая память «Б» первого поколения относится к возникающему классу памяти накопителей (storage class memory), который сочетает в себе высокую плотность записи, энергонезависимость и производительность. Судя по всему, новый тип сократит разрыв в производительности энергонезависимой памяти с DRAM, что поможет решать новые вызовы в индустрии.

«По мере того, как мы разрабатываем новые технологии памяти и учимся на 3D XPoint, мы получаем возможность развивать 3D XPoint дальше», — сказал господин Грэм во время презентации. «В будущем мы представим последующие версии этой технологии и другие технологии, которые могут вписаться в наш перспективный план [для решения вызовов индустрии]».

Micron, как ожидается, представит свои продукты на основе первого поколения 3D XPoint в ближайшие пару месяцев и начнёт их поставки в 2016 г. Второе поколение 3D XPoint будет анонсировано в следующем году, но попадёт на рынок лишь в 2017-м. Про память New Memory B Gen 1 известно крайне мало, но, если она будет официально представлена в 2017 г., то её появление на рынке в виде коммерческих устройств можно ожидать где-то в 2018–2019 годах. Учитывая, что новая память «Б» первого поколения будет обладать увеличенной производительностью, для её коммерциализации потребуется создание и внедрение новых интерфейсов передачи данных, что может «отодвинуть» её массовое использование на 2019–2020 годы.

Память накопителей: возможности и вызовы

Святой Грааль компьютерной памяти — энергонезависимая память с производительностью DRAM. Такой тип памяти вряд ли появится на рынке в ближайшее время, потому что независимо от того, насколько быстро развивается энергонезависимая память, DRAM не стоит на месте. Впрочем, возможно, случится чудо и в ближайшие годы мы увидим прорыв в указанном направлении…

 

Понравилась новость - поделитесь с Друзьями!

Новости партнеров:

Загрузка...
Рубрика: IT |    Теги: 

Вам могло бы понравиться:

Tkeycoin объявил о масштабном обновлении Tkeycoin объявил о масштабном обновлении
Наиболее выгодные условия отбеливания зубов: стоматология Зууб.рф запускает акцию Наиболее выгодные условия отбеливания зубов: стоматология Зууб.рф запускает акцию
Панарин и Боровский усилят сборную на ЧМ по хоккею Панарин и Боровский усилят сборную на ЧМ по хоккею
Поветкин одержал победу по делу Уайлдера 4,3 млн долларов Поветкин одержал победу по делу Уайлдера 4,3 млн долларов

Оставить комментарий

Вы должны Войти, чтобы оставить комментарий.

©2018 Новости сегодня. Все права защищены.
При копировании материалов активная гиперссылка на этот сайт ОБЯЗАТЕЛЬНА!