Самсунг объявила о старте массового производства 10-нм чипов 2-го поколения

Новости сегодня - Самсунг объявила о старте массового производства 10-нм чипов 2-го поколения

В дальнейшем технологию продолжат улучшать — Самсунг желает достигнуть 8 нм LPP-техпроцесса.

Компания Самсунг Electronics объявила, что ее подразделение Foundry Business, занимающееся полупроводниковой продукцией, начало серийный выпуск однокристальных систем по 10-нанометровой технологии FinFET 2-го поколения.

Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску с самого начала следующего 2018-ого. Новая линия S3 готова наращивать выпуск 10-нанометровой продукции в соответствии с потребностями рынка. Хотя Самсунг не назвала определенную систему на кристалле (SoC), скорее всего, это будет Snapdragon 845, который ляжет в основу Galaxy S9.

Интересно, что компания Самсунг в этот раз не упоминает в качестве первого клиента на новый техпроцесс компанию Qualcomm.

Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET применяется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Сейчас этот обычный ход событий представляется нарушенным. Как утверждается, продукция, сделанная с применением техпроцесса 10LPP, превосходит продукцию, изготовленную с применением 10-нанометрового техпроцесса первого поколения 10LPE (Low Power Early), по производительности либо энергопотреблению.

В Самсунг отмечают, что техпроцесс 10LPP опирается на уже испытанный техпроцесс 10LPE, что обещает увеличение выхода годных изделий уже на начальном этапе внедрения нового техпроцесса. Самсунг производит их на линии Самсунг S3 в Хвасоне. Это 3-е предприятие Самсунг, которое занимается выходом контрактных полупроводников. В дальнейшем тут будут выпускаться процессоры, выполненные по технологии 7 нм FinFET EUV (Extreme Ultra Violet). Однако это уже другая история.

Новости партнеров: