Чипсеты: Qualcomm Quick Charge 4 заряжает на 20% скорее

Новости сегодня - Чипсеты: Qualcomm Quick Charge 4 заряжает на 20% скорее

Также была анонсировала технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая будет доступна в устройствах на базе Snapdragon 835.

В частности на базе полупроводниковых технологий Самсунг 10 нм FinFET будет производиться процессор Qualcomm Snapdragon 835. В сравнении с предшествующим 14-нм FinFET решением — 10-нм увеличивает действенную площадь поверхности на 30%, работоспособность — на 27%, а еще обеспечивает снижение потребления энергии на 40%.

В отличие от по меньшей мере ранних версий быстрой технологии зарядки компании Qualcomm, новая итерация также поддерживает соединение стандарта USB Type-C и USB-PD (Power Delivery). Если сравнивать с прошлыми версиями технологии, то прирост скорости составит примерно 20%, а прирост эффективности — 30%. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 дает возможность уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство для установки не менее больших и емких аккамуляторных батарей.

Этот технопроцесс существенно увеличивает действенную площадь поверхности на 30%, работоспособность — на 27%, а еще значительно понижает потребление энергии. Однако в Qualcomm не стали закрывать глаза на эту проблему и предусмотрели в Quick Charge 4 4-уровневую систему защиты от перегрева в процессе зарядки и много иных решений, обеспечивающих ее безопасность.

Предполагается, что устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года.

Новости партнеров: