Самсунг начала выпуск чипов памяти на 512 ГБ. Ждем в Galaxy S9?

Новости сегодня - Самсунг начала выпуск чипов памяти на 512 ГБ. Ждем в Galaxy S9?

Память типа eUFS в таком объеме выпускается в первый раз в индустрии, и Самсунг сообщила, что планирует использовать ее в собственных телефонах и планшетах следующего поколения.

Кроме того, компания Самсунг планирует регулярно увеличивать объемы производства собственных 64-слойных чипов 512 Гб V-NAND, помимо расширения производства чипов 256 Гб V-NAND. Таким образом, наименее чем за два года инженерам Самсунг удалось вдвое поднять плотность хранения данных. Благодаря применению 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Самсунг, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую работоспособность для новых телефонов и планшетов топ-класса. Самсунг построил его из 8-ми 64-слойных чипов, которые совместно и составляют 512 ГБ, в то время как в не менее раннем eUFS-хранилище использовались 48-слойные чипы.

В смартфон с такой памятью можно записать около 130 видеороликов в разрешении 4K (3840×2160) длительностью 10 мин. каждый. Это в десять раз больше, чем способен вместить современный смартфон с 64 ГБ флэш-памяти.

Память 512 ГБ eUFS от Самсунг также отличается высокой скоростью чтения и записи. Наибольшее число операций при чтении/записи случайных блоков — до 42000 / 40000 IOPS. Это приблизительно в 400 раз скорее скорости в 100 IOPS у обыденных карт microSD.

Новости партнеров: