Самсунг начала производить микросхемы памяти LPDDR5 на 12 Гбит для телефонов

Новости сегодня - Самсунг начала производить микросхемы памяти LPDDR5 на 12 Гбит для телефонов

Южнокорейская компания Самсунг Electronics сегодня объявила о начале массового производства первых в ветви 12-гигабитных LPDDR5 модулей памяти, оптимизированных для задействования 5G и ИИ функционала в предстоящих моделях телефонов. Память Самсунг LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит создана для мобильных устройств.

Декларируется, что решение LPDDR5 предлагает скорость передачи данных 5500 Мбит/с, что в 1,3 раза скорее той скорости, которой владеют модули LPDDR4X.

Производитель также заявляет, что новые модули оперативной памяти потребляют до 30% менее электрической энергии, это дает возможность смартфонам работать еще дольше без подзарядки. Как и текущее поколение ОЗУ LPDDR4X, новые модули памяти построены на 10-нанометровом чипе Самсунг 2-го поколения. Новая мобильная DRAM от Самсунг даст возможность флагманским смартфонам следующего поколения использовать весь потенциал функций 5G и ИИ, таковых как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, значительно при этом увеличивая время автономной работы устройств. Сам формат LPDDR5 будет адаптирован в следующем поколении флагманов.

Восемь таковых чипов в одной планке на 12 Гб дозволят смартфонам с поддержкой 5G передавать 44 ГБ данных за одну секунду.

До сегодняшнего дня Самсунг выпускала модули памяти объемом 12 Гбит типа LPDDR4X, а в течении следующего года она планирует освоить производство микрочипов LPDDR5 плотностью 16 Гбит.

Новости партнеров: