List/Grid Архив за день: 05:07
Память нового поколения: SOT-MRAM на основе вольфрама
Известно, что способность надёжно переключать направление магнитного поля в материалах, процесс, известный как переключение намагниченности, играет ключевую роль в работе большинства устройств памяти. Один из известных способов достижения этой цели…
120
